TRANSISTOR PNP TO66 2N6212
Riferimento: 2N6212
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2N6212 Transistor di potena PNP in metallo TO66
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2N6212 Transistor di potenza PNP, TO-66, 225V, 1A, 10MHz
Attributo del prodotto Valore dell'attributo
Produttore: Motorola
Categoria: Transistori bipolari - BJT
Stile di montaggio: foro passante
Formato: TO-66
Polarità transistor: NPN
Configurazione: Singola
Tensione collettore-emettitore VCEO Max: 300 V
Collettore - Tensione di base VCBO: 350 V
Emettitore - Tensione di base VEBO: 6 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore: 2,5V Pd
Dissipazione di potenza: 35W
Guadagno larghezza di banda prodotto fT: 10 MHz
Temperatura minima di esercizio: - 65 C
Temperatura massima di esercizio: + 200 C
Corrente continua del collettore: 1 Amp
Tipo di prodotto: BJT - Transistori bipolari
2N6212