TRANSISTOR PNP TO66 2N6212

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2N6212 Transistor di potena PNP in metallo TO66 

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2N6212 Transistor di potenza PNP, TO-66, 225V, 1A, 10MHz

Attributo del prodotto Valore dell'attributo

Produttore: Motorola

Categoria: Transistori bipolari - BJT

Stile di montaggio: foro passante

Formato: TO-66

Polarità transistor: NPN

Configurazione: Singola

Tensione collettore-emettitore VCEO Max: 300 V

Collettore - Tensione di base VCBO: 350 V

Emettitore - Tensione di base VEBO: 6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore: 2,5V Pd

Dissipazione di potenza: 35W

Guadagno larghezza di banda prodotto fT: 10 MHz

Temperatura minima di esercizio: - 65 C

Temperatura massima di esercizio: + 200 C

Corrente continua del collettore: 1 Amp

Tipo di prodotto: BJT - Transistori bipolari

2N6212

Riferimenti Specifici

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