Riferimento: STD16NE06LSMD
Mosfet di potenza canale N D16NE06L
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MOSFET DI POTENZA STD16N06L
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Produttore: |
STMicroelectronics |
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Categoria prodotto: |
MOSFET |
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Tecnologia: |
Si |
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Stile di montaggio: |
SMD/SMT |
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Package/involucro: |
TO-252-3 |
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Polarità transistor: |
N-Channel |
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Numero di canali: |
1 Channel |
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Vds - Tensione di rottura drain-source: |
60 V |
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Id - corrente di drain continua: |
16 A |
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Rds On - Drain-source sulla resistenza: |
70 mOhms |
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Vgs - Tensione gate-source: |
- 20 V, + 20 V |
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Temperatura di lavoro minima: |
- 55 C |
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Temperatura di lavoro massima: |
+ 175 C |
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Pd - Dissipazione di potenza: |
40 W |
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Modalità canale: |
Enhancement |
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Serie: |
STD16NE06 |
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Marchio: |
STMicroelectronics |
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Configurazione: |
Single |
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Tempo di caduta: |
25 ns |
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Altezza: |
2.4 mm |
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Lunghezza: |
6.6 mm |
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Tipo di prodotto: |
MOSFET |
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Tempo di salita: |
45 ns |
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Sottocategoria: |
MOSFETs |
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Tipo di transistor: |
1 N-Channel |
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Tipico ritardo di accensione: |
20 ns |
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Larghezza: |
6.2 mm |
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Peso unità: |
330 mg |